გარდამავალ მეტალთა ოქსიდების მიღება და კვლევა

მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების და სტრუქტურების ძირითად ელემენტს წარმოადგენს ზეთხელი დიელექტრიკი, რომლის მიმართ განსაკუთრებული მოთხოვნებია წაყენებული. ის უნდა იყოს: ზეთხელი, უდეფექტო, დიდი დიელექტრიკული შეღწევადობით და გარღვევის ძაბვით და ა.შ. ასეთ პირობებს ყველაზე უფრო მეტად აკმაყოფილებს გარდამავალ მეტალთა ოქსიდები, მათ შორის ჰაფნიუმის ოქსიდი. ოქსიდების მიღების თანამედროვე ტექნოლოგია მაღალტემპერატურულია, რაც იწვევს მასში დეფექტების გაჩენას და გარღვევის ძაბვის შემცირებას. განხილულია ჰაფნიუმის ოქსიდის ფორმირების დაბალტემპერატურული, ულტრა იისფერი სხივით სტიმულირებული პლაზმური ანოდირების ტექნოლოგიური პროცესი, რომლის დროსაც უმჯობესდება ოქსიდური ფირების ელექტრო–ფიზიკური და დიელექტრიკული პარამეტრები. დასმულია მიზანი და გაკეთებულია ცალკეული ტექნოლოგიური პროცესების შინაარსობრივი განხილვა. განხილულია ფირის მიღების კინეტიკა და გაზომილია მისი პარამეტრები. ნაჩვენებია, რომ სტიმულირებული პლაზმური ანოდირების ტექნოლოგიით მიღებული ოქსიდური ფირები შეიძლება გამოყენებულ იქნან მიკრო და ნანოხელსაწყოების წარმოებაში.